[发明专利]低微管密度碳化硅单晶制备方法及碳化硅单晶在审
| 申请号： | 202111019665.3 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN113445128A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 王亚哲;皮孝东;徐所成;陈鹏磊;姚秋鹏;程周鹏;罗昊 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 310000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低微管密度碳化硅单晶制备方法及碳化硅单晶，涉及碳化硅晶体制备的技术领域，通过调整保护性气体流速来使炉内压力由第一目标压力上升至第二目标压力，从而在第一目标温度与第二目标压力的生长条件下，在碳化硅固气界面处形成热力学平衡态，使原本具有微管的碳化硅单晶表面发生重构，使得后续在其表面生成的碳化硅单晶具有低缺陷、低微管密度的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 微管 密度 碳化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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