[发明专利]用于辐照试验的MEMS惯性器件精确定位结构制作方法在审
| 申请号： | 202111015153.X | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113916255A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 邢朝洋;李男男;孙鹏;赵雪薇;朱政强;孟凡琛;宋健民;徐宇新 | 申请（专利权）人： | 北京航天控制仪器研究所 |
| 主分类号： | G01C25/00 | 分类号： | G01C25/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 张辉 |
| 地址： | 100854 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 用于辐照试验的MEMS惯性器件精确定位结构制作方法，先制作衬底，然后制作敏感结构，最后制作盖板，盖板上采用氢氧化钾湿法腐蚀硅片的方式形成辐照窗口，得到辐照屏蔽结构，该辐照屏蔽结构的位置需要正对着要进行辐照试验的敏感结构。本发明能够实现MEMS惯性器件微机械结构的精确定位，并通过硅片自身厚度差异实现不同剂量辐照实验。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 辐照 试验 mems 惯性 器件 精确 定位 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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