[发明专利]闪存器件的制备方法在审
| 申请号： | 202111010541.9 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113782490A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李荷芸;曹坚;张亮 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种闪存器件的制备方法，包括：提供堆叠的衬底、浮栅多晶硅层和第一氮化硅层，其中，所述衬底上形成有沟槽；形成OON层和阻挡层；在所述沟槽内沉积钨层；对所述钨层执行回刻工艺；以及执行至少N轮钨沉积工艺、钨回刻工艺，以在所述沟槽内得到第N厚度的钨源线，其中，N为大于或者等于1的整数。本发明在首次沉积工艺和首次回刻工艺之间不需要执行传统的CMP工艺，本发明在首次回刻工艺之后针对所述沟槽继续执行至少N轮钨沉积工艺、钨回刻工艺获取最终的钨源线，避免了CMP工艺造成的沟槽周围的第一氮化硅层上的OON层中的第二氧化硅层被误研磨去除的情况，同时提高了沟槽内的所述钨源线厚度的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111010541.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种门锁的锁舌总成
- 下一篇：一种用于电动客车的拖车结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
