[发明专利]光栅结构加载的垂直PIN型光电探测器及其制备方法

摘要

本发明提供一种光栅结构加载的垂直PIN型光电探测器及其制备方法，该光电探测器，包括：衬底、绝缘层、下接触层、本征吸收层、光栅结构和上接触层，其中上接触层与下接触层的掺杂类型相反；本征吸收层位于上接触层和下接触层之间，光栅结构通过刻蚀方式形成于本征吸收层；垂直入射光经过光栅衍射在本征吸收层转变成水平传输的光，消除了本征吸收层厚度对响应度的影响。本发明避免了光电探测器响应度和带宽相互制约的问题，有效提高了光电探测器的吸收效率及响应速度。此外，本发明还可以通过调节锗锡材料中锡的含量拓宽锗光电探测器的波长探测范围。