[发明专利]一种用于中压集成电路的片上双向静电防护装置

摘要

本发明提供一种用于中压集成电路的片上双向静电防护装置，包括一个以上DDGCSCR器件，所述DDGCSCR表示双向对称型SCR，每个DDGCSCR器件在结构上左右对称，相等大小电流从阳极和阴极流入DDGCSCR器件时，电学特性一致；每个DDGCSCR器件包括P型衬底、深N阱、第一P阱、N阱和第二P阱，所述P型衬底上设置深N阱，第一P阱和第二P阱分别和N阱相邻，所述第一P阱内从左至右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区和第二N+注入区；所述第一N+注入区和第二N+注入区之间的表面设有第一栅氧结构；所述N阱和第一P阱之间设有第一桥状P+注入区，所述第二P阱与第一P阱结构对称设置。