[发明专利]应用于半导体领域中的超高纯碳化硅粉制备技术在审
| 申请号： | 202111008074.6 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113603066A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 周曦东;刘兰英 | 申请（专利权）人： | 北京纳斯特克纳米科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;C01B32/963;C04B35/565;C04B35/584;C04B35/622;C04B35/626 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102520 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种应用于半导体领域中超高纯碳化硅粉制备技术，通过选择正确分子结构、元素组成的碳硅类聚合物、纯度、液体固化方式、造粒技术及控制配制、制备、固化和热裂解等过程中的污染物，控制微量污染元素如Al、Fe、B、P、Pt、Ca、Mg、Li、Na、Ni、V、Ti、Ce、Cr、S和As等杂质总含量低于10ppm，从而制备出具有5个9、6个9或更高纯度的半导体级碳化硅粉体的生产技术，并且所制备的碳化硅高纯粉能够满足碳化硅衬底晶圆片、碳化硅石墨外延基座上涂层及合成钻石莫桑石晶体生长所要求的纯度、粒径、密度、形貌等要求。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 半导体 领域 中的 高纯 碳化硅 制备 技术 | ||
【主权项】：
暂无信息
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