[发明专利]基于二维碲烯/二维电子气异质结的二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111006739.X | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113725284A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 姜昱丞;龚帅楠;高炬 | 申请（专利权）人： | 苏州科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/267 | 分类号： | H01L29/267;H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 苏张林 |
| 地址： | 215009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种基于二维碲烯/二维电子气异质结的二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明将二维碲烯转移至钛酸锶衬底表面，再通过氩离子束轰击在钛酸锶衬底表面诱导出二维电子气，与二维碲烯接触形成范德华异质结。本发明所述的二维碲烯纳米线/二维电子气异质结、二维碲烯纳米片/二维电子气异质结的正向电流比反向电流分别高出10 |
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| 搜索关键词： | 基于 二维 电子 气异质结 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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