[发明专利]集成电路芯片及制作方法、半导体装置在审
| 申请号： | 202111005226.7 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113725175A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 盛备备 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/467;H01L23/473 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路芯片及制作方法、半导体装置。所述集成电路芯片包括至少一个用于散热流体流通的TSV导热孔，每个所述TSV导热孔从所述集成电路芯片的第一表面经内部延伸到与所述第一表面相对的第二表面。利用TSV导热孔使散热流体通过，可以增强芯片散热，避免长期高温负荷工作造成芯片的性能稳定性下降。所述半导体装置包括所述集成电路芯片。所述制作方法可用于制作所述集成电路芯片，从键合晶圆的两个表面分别形成第一TSV孔和第二TSV孔，并使它们上下连通，得到的贯通键合晶圆的TSV导热孔用于散热流体流通，实施方便，而且所制作的TSV导热孔的可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 芯片 制作方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111005226.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
