[发明专利]生成锗结构的方法和包括锗结构的光学器件在审
| 申请号： | 202111004847.3 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN114121603A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | A·罗特;H·菲克;H·弗雷利施;T·考茨施;O·克沃斯蒂科瓦;S·帕拉斯坎德拉;T·波普;M·施特格曼;M·福格特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/028;H01L31/105 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 马明月 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的各实施例涉及生成锗结构的方法和包括锗结构的光学器件。一种生成锗结构的方法，包括：对硅衬底和氧化层的组件执行外延沉积工艺，其中氧化层中的一个或多个沟槽暴露硅衬底的表面部分。外延沉积工艺包括在第一阶段将锗沉积到组件上，在第一阶段之后的第二阶段期间执行蚀刻工艺以从氧化层去除锗，并且重复第一阶段和第二阶段。因此，锗晶体在一个或多个沟槽中生长。一种光学器件包括由外延沉积工艺获取的锗结构的原始纹理化表面形成的光入射表面，而不需要在外延工艺之后处理锗结构的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 生成 结构 方法 包括 光学 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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