[发明专利]一种高光学吸收碳纳米材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110997955.9 申请日: 2021-08-27
公开(公告)号: CN113582162B 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 俞兵;王啸;范纪红;李朝龙;袁林光;史浩飞;李燕;朴明星 申请(专利权)人: 西安应用光学研究所
主分类号: C01B32/15 分类号: C01B32/15
代理公司: 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 代理人: 刘二格
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明光学吸收领域,公开了一种高光学吸收碳纳米材料,其包括:碳黑和通过化学气相沉积法在碳黑表面生长的具有陷光能力的碳纳米墙,利用墙体之间间隙结构实现对光的吸收。本发明采用射频等离子增强化学气相沉积工艺,利用惰性气体增加等离子能量密度的方式,在还原性气体氢气的作用下将碳源气体的化学键打开,经过成核、迁移、取向和生长等过程在碳黑表面构建垂直排列的碳纳米墙,等效折射率接近1,具有很好的界面阻抗匹配,入射光几乎无反射地穿过材料表面进入墙体的间隙空间中,经过多次墙体间反射最终被吸收转换成热能,在这些物理机制共同作用下,实现在紫外‑可见光波段的高效光学吸收。
搜索关键词: 一种 光学 吸收 纳米 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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