[发明专利]多喷嘴LPCVD成膜方法

摘要

本发明涉及一种多喷嘴LPCVD成膜方法，所属半导体晶圆加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：先将半导体晶圆半成品进行装片，然后送进反应室并完成反应室的抽真空作业。第二步：检查设备情况，确认正常后通过N2喷嘴对反应室充N2吹扫并升温至650±40℃。第三步：再将反应室抽真空，然后保持压力稳定后，打开所有SiH4喷嘴和N2喷嘴，开始淀积成膜过程。第四步：完成淀积成膜过程后，关闭所有SiH4喷嘴和N2喷嘴，然后将反应室抽真空。第五步：N2喷嘴回冲N2将反应室恢复到常压，最后完成半导体晶圆成膜过程。具有工艺点单、运行稳定性好和反应周期短的特点。解决了炉芯管顶部晶圆成膜均匀性差的问题。