[发明专利]一种可改善硅单晶纵向电阻率石英坩埚及拉晶方法在审
| 申请号： | 202110983886.6 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN115726026A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 贾国华;王凯;郭谦;张文霞;王福如 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 一种可改善硅单晶纵向电阻率石英坩埚，在石英坩埚内配设有隔离件；所述隔离件使熔硅液沿所述石英坩埚轴向分为含有掺杂剂的熔硅液层和未含有掺杂剂的熔硅液层，并能够使所述未含有掺杂剂的熔硅液层中的熔硅液随硅单晶生长逐步流入至所述含有掺杂剂的熔硅液层内，以稀释所述含有掺杂剂的熔硅液层中的掺杂剂的浓度，以保持所述硅单晶生长过程中其纵向电阻率的均匀性。本发明还提出一种可改善硅单晶纵向电阻率的拉晶方法。本发明可使在晶体生长过程中所用熔硅液中的掺杂剂的浓度保持稳定，以使拉制好的硅单晶中的掺杂剂在其纵向上的含量分布均匀，从而使硅单晶圆棒的纵向电阻率差值缩小，以提高产品成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 硅单晶 纵向 电阻率 石英 坩埚 方法 | ||
【主权项】：
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