[发明专利]一种等离子刻蚀用碳化硅载盘的制造方法及碳化硅载盘有效
| 申请号： | 202110977609.4 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN113698208B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 闫永杰;姚玉玺 | 申请（专利权）人： | 南通三责精密陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622;H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 肖照旭 |
| 地址： | 226001 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请属于载盘技术领域，具体涉及一种等离子刻蚀用碳化硅载盘的制造方法及碳化硅载盘。碳化硅载盘的制造方法包括如下步骤：（1）素胚成型：采用固相烧结体系的碳化硅造粒粉体，通过先干压后等静压或者直接等静压工艺成型出满足尺寸要求的碳化硅素胚；（2）素胚加工：根据等离子刻蚀载盘的成品尺寸和高温烧结收缩率，对外圆、总厚度、正反面槽深预留一定的烧结余量，对成型的素胚进行加工；（3）高温烧结：将加工后的碳化硅载盘素胚进行高温烧结；（4）精加工：先对载盘外圆进行精密研磨和平面研磨，然后以反面槽深为基准，加工载盘的反面；再以载盘总厚度要求为基准，加工载盘的正面；最后进行晶圆槽的精密磨加工，达到槽深要求即可。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子 刻蚀 碳化硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
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