[发明专利]对位偏差的量测方法、半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110975123.7 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN113741154A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 陈营 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张雪;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开实施例公开了一种对位偏差的量测方法、半导体器件及其制备方法，所述量测方法包括：在基底的边缘区中形成与基底的核心区中的第一图案的尺寸相同的第二图案；其中，第一图案和第二图案沿第一方向并列排布且具有第一预设距离，第一方向平行于所述基底；在边缘区中形成与基底的核心区中的第三图案的尺寸相同的第四图案；其中，第三图案和第四图案沿第一方向并列排布且具有第二预设距离，第二图案与第四图案沿所述第一方向错开；第一图案与所第三图案沿第一方向对应重叠；确定第二图案与第四图案在第一方向的偏移距离；根据偏移距离、第一预设距离和第二预设距离，确定第一图案与第三图案的对位偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 对位 偏差 方法 半导体器件 及其 制备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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