[发明专利]一种铁电畴工程调制的二维同质结的存储单元及调控方法

摘要

本发明公开了一种铁电畴工程调制的二维同质结的存储单元及调控方法，属于信息存储技术领域，由下至上依次设置衬底、过渡层、下电极、第一绝缘层、铁电层、二维材料层、第二绝缘层、第三绝缘层和上电极；还包括：源极、漏极和纳米导线；所述源极和所述漏极分别位于所述二维材料层的两侧；所述纳米导线嵌于所述第二绝缘层中。同时公开了其具体调控方法。本发明提供的铁电畴工程调制的二维同质结的存储单元能够提高存储密度，降低存储单元的能耗，还能够实现小型化，并应用于柔性铁电存储器件。