[发明专利]一种半导体器件芯片穿通扩散制造方法在审
| 申请号： | 202110966601.8 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN113707544A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 周榕榕;薛治祥;张晓仪;龚帅雷 | 申请（专利权）人： | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件芯片穿通扩散制造方法，包括以下步骤：一.硅片表面镜面处理，使硅片表面光亮洁净；二.氧化，使硅片表面生长形成一层致密的二氧化硅保护薄膜；三.双面穿通窗口成型，首先在硅片正面穿通窗口图形；然后，通过对准正面图形，在硅片背面用激光烧蚀二氧化硅薄膜的方法实现硅片背面穿通窗口图形，正背面穿通窗口图形相互对称；四.双面涂覆硼铝源，在硅片表面涂覆硼铝源，形成硼铝源层；五.穿通扩散，穿通环宽200~300um。本发明不需要使用光刻工艺，避免消耗大量化学试剂、去离子水，环保，且生产效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 芯片 扩散 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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