[发明专利]一种晶圆的修调方法有效
| 申请号： | 202110958288.3 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113410156B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 张雪玲;刘彬;李瑞平 | 申请（专利权）人： | 上海芯龙半导体技术股份有限公司南京分公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 刘畅 |
| 地址： | 210044 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆的修调方法。在所述修调方法中，一方面对修调电路进行了优化设计，使其内部的修调电阻的阻值按照2的幂进行分布，在同样的修调范围内一定程度上节约了修调电阻的数量，并能够与所述修调方法结合；另一方面通过循环条件的判断，分步多次熔断可熔导丝，兼顾了效率和精度，以多次尝试的方式接近预期的修调目标值，并通过结束条件加速了修调过程。修调电路的方案优化、循环条件和结束条件的设置，解决了现有技术中的修调方法存在熔丝只能一次性熔断以及熔丝熔断操作后得到的测量电阻值和理想阻值相差较大而导致的精度较低的问题，并兼顾了修调过程的效率和实现成本，取得了较优的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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