[发明专利]一种阻挡碳化硅晶体边缘小角晶界向内延伸的方法及晶体有效
| 申请号： | 202110948718.3 | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN113622031B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 张九阳;李霞;王永方;宁秀秀;张红岩;高超;李硕;杨丹;苏丽娜 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/06 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 冯妙娜 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种阻挡碳化硅晶体边缘小角晶界向内延伸的方法，包括：步骤一、构造热场：将坩埚置于保温罩中，再将坩埚连同保温罩置于长晶炉生长腔中，即获得热场；保温罩包括保温筒和保温盖，保温盖的底部开设有与保温筒同轴的圆形凹槽，圆形凹槽的直径至少小于碳化硅籽晶直径1mm，且大于等于碳化硅籽晶直径的三分之二；步骤二、利用热场制备碳化硅晶体，以使得获得的碳化硅晶体的靠近边缘处形成与圆形凹槽的槽侧壁位置大致对应的环形形貌。本申请提供的阻挡碳化硅晶体边缘小角晶界向内延伸的方法，能够获得边缘位置具有一定宽度的环形形貌的碳化硅晶体，该环形形貌能够阻挡外侧的小角晶界向其内侧延伸，提升碳化硅晶体中部区域的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻挡 碳化硅 晶体 边缘 小角 向内 延伸 方法 | ||
【主权项】：
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