[发明专利]微电子组件中的直接接合在审
| 申请号： | 202110948262.0 | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN114203684A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | A·A·埃尔舍尔比尼;K·巴拉特;邓汉威;K·君;A·阿列克索夫;M·E·卡比尔;S·M·利夫;J·M·斯万;F·埃德 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/482 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈晓;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开了包括直接接合的微电子组件，以及相关的结构和技术。例如，在一些实施例中，微电子组件可以包括第一微电子部件和通过直接接合区耦合到第一微电子部件的第二微电子部件，其中直接接合区包括第一子区和第二子区，以及第一子区，并且第一子区具有比第二子区更大的金属密度。在一些实施例中，微电子组件可以包括第一微电子部件和通过直接接合区耦合到第一微电子部件的第二微电子部件，其中直接接合区包括第一金属接触和第二金属接触，第一金属接触具有比第二金属接触更大的面积，并且第一金属接触电耦合到第一微电子部件的电源/接地平面。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子 组件 中的 直接 接合 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110948262.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：低电路深度同态加密评估
- 下一篇：具有直接键合区中的电感器的微电子组装件
- 同类专利
- 专利分类
