[发明专利]IGBT用SiC半导体微观劣化失效评估方法和系统在审
| 申请号： | 202110945062.X | 申请日： | 2021-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN113805028A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 陈驰;付钰伟;王闯;张嘉伟;王倩 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 白文佳 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了IGBT用SiC半导体微观劣化失效评估方法和系统，属于电力电子器件劣化失效与状态评估领域。本发明方法直接从SiC半导体空间电荷定域化行为出发，对正向阻断状态SiC半导体空间电荷行为进行测量，并通过空间电荷测量结果提取SiC半导体微观电荷特性参数，建立劣化模型。通过劣化模型和微观电荷特性参数，实现了对SiC半导体进行劣化状态评估与寿命预测。本发明的这种状态评估方法从SiC半导体微观劣化机理出发，可以更好的反应其劣化失效特征、更加有效的评估其劣化状态与工作寿命。 | ||
| 搜索关键词： | igbt sic 半导体 微观 失效 评估 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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