[发明专利]一种基于原位热处理法的LED外延结构及其生长方法在审
| 申请号： | 202110937738.0 | 申请日： | 2021-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN113644170A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 223865 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种基于原位热处理法的LED外延结构及其生长方法，在所述应力释放层上生长多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括周期交替生长的GaN量子垒层和InGaN量子阱层，且所述InGaN量子阱层由若干层InGaN量子阱层子层组成；通过多次的原位热处理，使得InGaN外延材料中大部分的C、O等杂质在热处理过程中被分解去除，且因为此原位热处理时中断外延生长，相当于在对已外延的InGaN材料表面进行原位热退火，这促进了此原本晶格质量差的InGaN晶格得以充分的重组和尽可能地释放此材料的内建应力，整体提高了InGaN量子阱层的晶格质量，提升了高In组分的GaN基LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 原位 热处理 led 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
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