[发明专利]一种具有高压和高增益模式的高频横向双极晶体管电路有效
| 申请号： | 202110934402.9 | 申请日： | 2021-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN113838926B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 金冬月;刘圆圆;张万荣;贾晓雪;潘永安;曹路明;雷鑫 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L29/737;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种具有高压和高增益模式的高频横向双极晶体管电路。该电路包括由多晶硅层(2101)、SiGe基区(2103)、Si发射区(2104)、Si集电区(2105)、SiO |
||
| 搜索关键词： | 一种 具有 高压 增益 模式 高频 横向 双极晶体管 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学，未经北京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110934402.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
