[发明专利]一种基于超薄改性绝缘层沉积磁芯制备电感器的方法有效
申请号: | 202110927619.7 | 申请日: | 2021-08-13 |
公开(公告)号: | CN113628875B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 周国云;高奇;贾维;张伟豪;何为;王守绪;陈苑明;唐耀;孙玉凯;张伟华 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学;珠海方正科技高密电子有限公司 |
主分类号: | H01F41/34 | 分类号: | H01F41/34;H01F3/00;H01F10/14;H01F10/16;H01F41/02;H01F41/22 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于超薄改性绝缘层沉积磁芯制备电感器的方法。目前,业界通常使用绝缘层作为磁芯层与电感导线间的隔离层,但使用的绝缘层的厚度较厚和与磁芯层间的结合力较差。本发明通过在电感器的铜导线表面附着超薄绝缘隔离层作为催化层,通过化学沉积的方式形成磁性薄膜制备出磁芯电感器。一方面解决了因磁芯层与电感之间因间隔距离太大降低了电感器的性能问题,另一方面磁芯层是通过化学沉积的方式形成在绝缘隔离层解决了磁芯层的结合力不足问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 超薄 改性 绝缘 沉积 制备 电感器 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学;珠海方正科技高密电子有限公司,未经电子科技大学;珠海方正科技高密电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110927619.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。