[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202110916185.0 | 申请日： | 2021-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN114078822A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 杨仓博;饶瑞修 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L27/108 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提出一种具有一测试结构的半导体结构。该半导体结构包括一半导体基底、一存储器元件以及一测试结构。该存储器元件经设置在该半导体基底上，且具有一元件区域以及一边缘区域。该边缘区域包围该元件区域。该测试结构经设置在该半导体基底上，且包括一虚设区域、一测试边缘区域以及多个单元胞。该测试边缘区域包围该虚拟区域。该多个单元胞，其具有配置在该虚设区域中的一第一组单元胞，以及配置在该测试边缘区域的一第二组单元胞；该第二组单元胞包括该多个单元胞中最外面的单元胞。该边缘区域在一俯视图中包围的一边缘区域形状与该测试边缘区域在该俯视图中所围的一测试边缘区域形状不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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