[发明专利]相变存储器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种相变存储器及其制造方法，包括交替堆叠的字线层和第一介质层的叠层结构具有多个贯穿孔和沿第一方向延伸的多条字线缝隙，字线缝隙将叠层结构分割为多个字线区并在每个字线区中定义出层叠的多条字线，每个字线区中均分布有贯穿孔，由此，通过在贯通孔的字线层处制作环形凹槽并填充选通层，覆盖相变材料层并填充导电柱，以及在叠层结构顶面上形成沿第二方向延伸并电性连接导电柱的位线之后，能在每个字线区与每条位线的交叉点处形成多层相变存储单元，最终能够提高相变存储器的位密度和集成度，并因能够减少位线数量而提高阵列的操作效率，且能在不增加制造成本和集成度的前提下，扩展三维堆叠能力。