[发明专利]一种单晶硅的制备装置及其使用方法有效
| 申请号： | 202110907340.2 | 申请日： | 2021-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN113668046B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 刘立新;王中然 | 申请（专利权）人： | 长沙新立硅材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/10;C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州君锐知产专利代理事务所(普通合伙) 33443 | 代理人： | 应孔月 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市高新开发区*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶硅的制备装置及其使用方法，属于单晶硅制造技术领域，真空熔炼室；分瓣式水冷铜坩埚，设置在所述真空室内；石墨熔化棒，可伸入所述分瓣式水冷铜坩埚中；高频感应线圈，设在所述分瓣式水冷铜坩埚外；石英坩埚，位于所述分瓣式水冷铜坩埚的下方；石墨加热器，套设在所述石英坩埚外；低频感应线圈，套设在所述石墨加热器外；第一提升机构，与所述低频感应线圈相连，用于提供所述低频感应线圈沿所述石英坩埚轴向方向的提升力；冷却器，贴附在所述石英坩埚的底部；加料机构，其出料通入所述分瓣式水冷铜坩埚。可降低最终硅晶体的氧含量，综合提高晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 制备 装置 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
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