[发明专利]半导体装置和包括半导体装置的电子系统在审

专利信息
申请号: 202110906756.2 申请日: 2021-08-09
公开(公告)号: CN114078877A 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 千相勳;姜信焕;金智焕;韩智勳 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11565 分类号: H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 黄圣;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了一种半导体装置和包括半导体装置的电子系统。所述半导体装置包括:下结构,包括外围电路;堆叠结构,位于下结构上,从存储器单元阵列区域延伸到阶梯区域,并且包括在第一方向上布置在阶梯区域中的栅极堆叠区域和绝缘体堆叠区域;盖绝缘结构,位于堆叠结构上;以及分离结构,穿过栅极堆叠区域。堆叠结构包括交替且重复地堆叠的层间绝缘层和水平层,水平层包括栅极水平层和绝缘水平层,栅极堆叠区域包括栅极水平层,绝缘体堆叠区域中的每个包括绝缘水平层,在阶梯区域中,堆叠结构包括第一阶梯区域、连接阶梯区域和第二阶梯区域。
搜索关键词: 半导体 装置 包括 电子 系统
【主权项】:
暂无信息
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