[发明专利]集成式霍尔磁传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 202110905921.2 | 申请日： | 2021-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN113759295A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 何渊 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/07 | 分类号： | G01R33/07;G01R33/00;H01L43/04;H01L43/06;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京毕科锐森知识产权代理事务所(普通合伙) 11877 | 代理人： | 王静;陶涛 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的实施例公开了集成式霍尔磁传感器及其制造方法。所述集成式霍尔磁传感器包括引线框架；至少两个霍尔元件芯片，所述至少两个霍尔元件芯片设置在引线框架上，并且所述至少两个霍尔元件芯片上下叠置在一起；磁轭，所述磁轭设置在所述至少两个霍尔元件芯片中的顶部霍尔元件芯片的中心，其中所述至少两个霍尔元件芯片串联连接在一起以形成所述集成式霍尔磁传感器。本发明属于半导体技术领域。所述集成式霍尔磁传感器具有高灵敏度或超高灵敏度，通过叠置至少一个霍尔芯片于另一个霍尔芯片上大幅提高了封装集成度并提高了霍尔器件输出。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 霍尔 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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