[发明专利]一种波导型Ge/Si雪崩光电二极管及制备方法

摘要

本发明公开了一种波导型Ge/Si雪崩光电二极管及其制备方法，所述二极管包括阳极、Ge电极接触层、吸收层、电荷层、倍增层、阴极、SOI衬底、保护层、第一多周期布拉格反射镜、第二多周期布拉格反射镜和光波导，其中，SOI衬底自下而上依次包括Si衬底、SiO2埋氧化层和Si电极接触层；倍增层、电荷层、吸收层、Ge电极接触层及阳极自下而上依次设置在Si电极接触层上；第一多周期布拉格反射镜和光波导分别位于倍增层、电荷层和吸收层形成的叠层结构的相对两侧；第二多周期布拉格反射镜横向叠放在Si电极接触层与SiO2埋氧化层之间。该雪崩光电二极管利用布拉格反射镜的强反射作用，可提高光的耦合效率，增强器件的光吸收，有效提高器件的响应度。