[发明专利]一种碳化硅的结晶界面控制结构、生长设备和制备方法在审
| 申请号： | 202110892887.X | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN113584577A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 潘尧波;薛卫明;马远 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B23/06;C30B29/36 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 苗晓娟 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅的结晶界面控制结构、生长设备及制备方法，其中，所述结晶界面控制结构包括石墨托盘、分布在所述石墨托盘上的多个石墨杆、与所述多个石墨杆对应连接的多个换热管及多个电信号接收器，所述换热管内设有进气管，所述进气管内有冷媒气体流通；所述电信号接收器的一端通过连接导线与所述换热管相连，另一端通过连接导线与所述石墨杆相连；所述石墨杆与所述换热管及所述电信号接收器构成热电偶测温系统，通过所述电信号接收器可判断所述石墨杆的温度；通过调节所述冷媒气体的流量可调节所述石墨托盘的温度分布，进而实现结晶界面的控制。采用包含本发明的结晶界面控制结构的生长设备可获得的低密度缺陷的碳化硅单晶衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 结晶 界面 控制 结构 生长 设备 制备 方法 | ||
【主权项】：
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