[发明专利]半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110892366.4 | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN113644121B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 李宝玉;詹益旺;陈凡;陈云;郭鹏 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈超德;吴昊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括衬底，以及位于所述衬底上方的栅极结构，所述栅极结构包括依次叠层设置于所述衬底上方的第一绝缘层、半导体层、阻挡层和金属层；其中，所述半导体层的下表面的尺寸大于所述半导体层的上表面的尺寸，所述金属层完全覆盖所述半导体层。本申请中至少通过金属层来覆盖(遮挡住)坡度角不受控制的半导体层，使得栅结构的边缘尺寸主要由坡度角易受控制且刻蚀坡度角较大的金属层决定，即使半导体层的坡度角不受控制，也不会影响后续在两侧形成的掺杂区的形貌和位置，大大减少了掺杂区的形貌和位置不受控制导致的短路问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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