[发明专利]一种反熔丝存储单元及其数据读写电路有效
| 申请号： | 202110889462.3 | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN113345506B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 王春华 | 申请（专利权）人： | 南京沁恒微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C7/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210012 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种反熔丝存储单元及其数据读写电路，反熔丝存储单元包括基底，基底上有一N阱和非N阱区，非N阱区上设有第一NMOS管，所述第一NMOS管的栅极用于输入第一选通信号，所述N阱上设有PMOS管和电容管，PMOS管与电容管的栅极均连接第一NMOS管的漏极，PMOS管的漏极、源极、衬底及电容管的漏极、源极、衬底均连接可控电源。本发明增加了可编程区域的面积，减小了存储单元击穿后的导通电阻，提高了可靠性，降低了成本，并有利于提高数据读取速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反熔丝 存储 单元 及其 数据 读写 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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