[发明专利]氮化铝基底上的低粗糙度微晶金刚石薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110886090.9 申请日: 2021-08-03
公开(公告)号: CN113755819A 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 胡晓君;陈康;陈成克;蒋梅燕;李晓 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C16/455;C23C16/52
代理公司: 杭州天正专利事务所有限公司 33201 代理人: 黄美娟
地址: 310014 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种在氮化铝基底上生长低粗糙度金刚石薄膜的制备方法。该方法是在热丝化学气相沉积系统中采用循环沉积气压的方法在氮化铝基底上生长低粗糙度的微晶金刚石薄膜,具有较高的稳定性、耐蚀性,具有相对低的表面粗糙度;使其有望用于波导器件中减少光的散射损失,增强检测精度,对于制备金刚石薄膜基波导器件有重要的应用价值。
搜索关键词: 氮化 基底 粗糙 度微晶 金刚石 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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