[发明专利]半导体器件、制备方法、光子芯片及光计算设备有效
申请号: | 202110882668.3 | 申请日: | 2021-08-02 |
公开(公告)号: | CN113341599B | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 苏湛;柏艳飞;孟怀宇;沈亦晨 | 申请(专利权)人: | 杭州光智元科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/015 | 分类号: | G02F1/015;G06E3/00 |
代理公司: | 北京太合九思知识产权代理有限公司 11610 | 代理人: | 刘戈;柴艳波 |
地址: | 311121 浙江省杭州市余*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本申请实施例提供一种半导体器件、制备方法、光子芯片及光计算设备。其中,半导体器件包括:依次间隔排布的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层;其中,第一中间层,设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第一重叠区内;第二中间层,设置于所述第二半导体层与所述第三半导体层之间的第二重叠区内;所述第一半导体层、所述第二半导体层、所述第三半导体层、所述第一中间层以及所述第二中间层形成多个用于对光信号进行调制的电容结构。本申请实施例提供的技术方案能够提高半导体器件对光的调制效率。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 制备 方法 光子 芯片 计算 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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