[发明专利]一种超薄锗片翘曲形貌的控制方法在审
申请号: | 202110880195.3 | 申请日: | 2021-08-02 |
公开(公告)号: | CN113611593A | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 杨静;韩焕鹏;张伟才;王雄龙;于妍;杨洪星;陈晨;李聪;索开南 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/18;B24B1/00 |
代理公司: | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人: | 李美英 |
地址: | 300220*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明提供一种超薄锗片翘曲形貌的控制方法,第一步、将锗切割片进行机械研磨,通过锗片研磨加工去除切割损伤的同时对锗片的翘曲方向进行初步控制;第二步、采用酸腐蚀机对锗研磨片进行酸腐蚀,通过酸腐蚀过程去除锗片的研磨损伤,优化锗片翘曲形貌;第三步、采用磨削机对锗片背表面进行单面去除,通过小去除量的单面磨削,进一步控制锗片的翘曲形貌;第四步、采用碱性腐蚀液对锗磨削片进行弱碱腐蚀,最后通过锗片碱液弱腐蚀,去除应力,改善锗片表面质量和机械强度。本方法实现了对超薄锗片减薄加工过程中的翘曲形貌控制,本方法加工效率高,能很好的控制锗片翘曲形貌。通过本方法制备的超薄锗片在后续外延过程中碎片率低。 | ||
搜索关键词: | 一种 超薄 锗片翘曲 形貌 控制 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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