[发明专利]一种超低磁阻尼大磁致伸缩铁氧体薄膜制备方法及系统在审
| 申请号： | 202110870963.7 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113737275A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 刘明;王志广;胡忠强;赵亚楠;杜琴 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/22 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 贺小停 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种超低磁阻尼大磁致伸缩铁氧体薄膜制备方法及系统，包括以下步骤：步骤1，对镁铝尖晶石MAO衬底进行预处理，用于沉积薄膜；步骤2，将步骤1所得到的基底置于沉积腔内，进行锌/铝共掺杂镍铁氧体NZAFO的沉积工作。本发明采用脉冲激光沉积法在镁铝尖晶石(MAO)衬底上生长NZAFO单晶薄膜，系统研究了生长温度对其结构和磁性能的影响，有助于指导制备具有超低微波阻尼和大磁致伸缩的铁氧体薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁阻 尼大磁致 伸缩 铁氧体 薄膜 制备 方法 系统 | ||
【主权项】：
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