[发明专利]一种碳量子点复合央辐射状二氧化硅球及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202110866614.8 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113444517A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 刘玉菲;袁梦迪;胡永琴;张国秀;安佳 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/65;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;G01N21/64 |
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| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳量子点复合央辐射状二氧化硅球，包括二氧化硅球和碳量子点，所述二氧化硅球呈央辐射状，且所述二氧化硅球的表面具有氨基改性基团；所述碳量子点负载于所述二氧化硅球中。本发明的另一方面公开了上述碳量子点复合央辐射状二氧化硅球的制备方法，包括以下步骤：S1：提供二氧化硅球，所述二氧化硅球呈央辐射状；S2：提供氨基改性剂，使所述氨基改性剂与所述二氧化硅球混合，并进行反应得到第一混合液；S3：提供碳量子点前驱体混合液，使所述碳量子点前驱体混合液与所述第一混合液混合，并进行水热反应，即可得到所述碳量子点复合央辐射状二氧化硅球。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 复合 辐射状 二氧化硅 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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