[发明专利]一种用于碱蒸汽腐蚀碳化硅晶片的装置有效
| 申请号： | 202110859503.4 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113550012B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 李佳君;王蓉;罗昊;朱如忠;皮孝东;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12;C30B29/36 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 310000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种用于碱蒸汽腐蚀碳化硅晶片的装置，包括：反应部，反应部包括硅晶圆安装部和耐腐蚀腔；加热部，加热部与反应部相连，加热部用于对耐腐蚀腔加热；封堵部，封堵部包括第一管堵和第二管堵；通过设置管堵，实现对反应部的密封，保障腐蚀效果；通过在管堵设置冷凝区和反应区，实现对高温碱性蒸汽的吸收和反应，减少碱性蒸汽散发的空气中对人体健康造成影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 蒸汽 腐蚀 碳化硅 晶片 装置 | ||
【主权项】：
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