[发明专利]薄膜材料的异质结的制备方法及其制得的薄膜有效
| 申请号： | 202110859153.1 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113437021B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 王长安;刘宁炀;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/265;H01L29/12;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 李彬彬;陈莉娥 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄膜材料的异质结的制备方法及其制得的薄膜，其中，该制备方法包括采用单一材质在衬底上外延生长具有各向异性的第一薄膜层；对第一薄膜层进行离子注入，使之形成含有注入离子的注入层和不含注入离子的非注入层，且注入层因离子的注入发生结构相变，非注入层保持原有结构相，以在注入层和非注入层之间形成异质结结构。由此，注入层与非注入层因相结构不同而出现不同的性能，从而使两者之间因实现耦合而形成异质结结构。由于本发明不是通过依次沉积两种不同材料的薄膜的方式形成异质结，简化了制备异质结的操作过程；而且，由于异质结薄膜是形成在一种材质的薄膜材料中，使得制得的薄膜材料能够进一步小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 材料 异质结 制备 方法 及其 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
