[发明专利]一种沟槽式栅极IGBT结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202110858143.6 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113555426A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 王丕龙;王新强;杨玉珍;张永利;刘文 | 申请（专利权）人： | 青岛佳恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 武汉聚信汇智知识产权代理有限公司 42258 | 代理人： | 刘丹 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市城阳*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽式栅极IGBT结构及其制作方法，基板的表面开设有环形槽，环形槽的内部设置有铅环，元胞包括n型衬底，n型衬底的底部设置有p+集电极，p+集电极的底部设置有集电极金属，n型衬底的顶部设置有p型阱，p型阱的顶部依次设置有p+型短路区和n+发射区，n型衬底的顶部开设有沟槽，沟槽位于n+发射区，沟槽的内壁设置有栅极氧化层，栅极氧化层上设置有栅极多晶层，栅极多晶层的顶部设置有氧化层，解决了目前沟槽式栅极IGBT结构存在的内部的应力会导致硅片碎片率增加、芯片良率低的问题以及在进行离子注入的过程中沟槽的侧壁经常出现包括注入损伤以及注入杂质散射造成的沟道表面浓度波动的问题，导致IGBT器件性能发生变化的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 栅极 igbt 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛佳恩半导体有限公司，未经青岛佳恩半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110858143.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有高温热泵的电镀设备
- 下一篇：移动式电力智能联动操作方法
- 同类专利
- 专利分类
