[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202110856079.8 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN114220812A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德;马哈维;张惠政;陈科夆;林耕竹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种半导体结构。制作隔离结构于堆叠的晶体管结构的源极/漏极外延结构之间的隔离结构的方法。方法包括沉积无氧介电材料于第一外延结构上的开口中，其中无氧介电材料覆盖第一外延结构的上表面与开口的侧壁表面。方法亦包括暴露无氧介电材料至氧化工艺以氧化无氧介电材料，其中氧化工艺不氧化第一外延结构上的无氧介电材料的一部分。此外，蚀刻氧化的无氧介电材料，并形成第二外延层于蚀刻步骤未移除的无氧介电材料上，以实质上填入开口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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