[发明专利]基于晶圆制备MEMS器件的方法在审
| 申请号： | 202110851379.7 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113582130A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 林欣蓉;徐泽洋;刘双娟 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于晶圆制备MEMS器件的方法。通过在掩模层和晶圆的第二表面之间还设置保护层，该保护层可以在掩模层被消耗殆尽后用于保护晶圆免受氟化氙气体的刻蚀攻击，避免晶圆的边缘被过早暴露出而受到氟化氙气体的侵蚀，有效保障了位于晶圆边缘位置的MEMS器件的完整性，提高了晶圆上MEMS器件的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 制备 mems 器件 方法 | ||
【主权项】：
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