[发明专利]AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 202110848069.X | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113540232A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 王中旭 | 申请（专利权）人： | 陕西君普新航科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 西安志帆知识产权代理事务所(普通合伙) 61258 | 代理人： | 侯峰;韩素兰 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市西咸*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管，该高电子迁移率晶体管包括衬底、成核层、缓冲层、第一势垒层、第一沟道层、漏极、源极、栅极、钝化层，所述衬底、成核层、缓冲层、第一势垒层、第一沟道层从下到上依次设置，所述第一沟道层上设置漏极、源极、栅极，所述漏极和栅极设置钝化层，所述源极和栅极之间设置钝化层。本发明能够有效地提高电流面度，获得更大的导通电流。 | ||
| 搜索关键词： | algan gan 异质结 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
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