[发明专利]一种磁性拓扑异质结薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110845930.7 申请日: 2021-07-26
公开(公告)号: CN113564698A 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 张敏;刘立刚 申请(专利权)人: 西华师范大学
主分类号: C30B23/02 分类号: C30B23/02;C30B33/02;C30B29/46
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 龚燮英
地址: 637002 *** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及铁磁性材料及异质结薄膜的制备技术领域,公开了一种磁性拓扑异质结薄膜的制备方法,包括以下步骤:a、Bi2Se3薄膜的制备:将片清洗后固定在磁控溅射设备样品台上;于高纯Ar气保护下溅射纯度为99.99%的Bi2Se3靶材3~5min;b、Bi2Se3薄膜的退火处理:将按照a步骤制备完成的Bi2Se3薄膜封存于石英管中,并将石英管置于管式炉中,进行退火成相处理;c、Fe7Se8/Bi2Se3异质结薄膜的制备:将经b步骤退火处理后的Bi2Se3薄膜固定在磁控设备样品台上,于高纯Ar气保护下溅射纯度为99.99%的Fe7Se8靶材5~10min;d、Fe7Se8/Bi2Se3异质结薄膜的退火处理:在400~450℃的管式炉中退火2h。本发明制备的异质结薄膜制备成本低,对环境污染少,制备工艺简单易实现,适于大批量生产。
搜索关键词: 一种 磁性 拓扑 异质结 薄膜 制备 方法
【主权项】:
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