[发明专利]具有减小的电压降的碳化硅二极管以及其制造方法在审
| 申请号： | 202110844626.0 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN113990955A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | S·拉斯库纳;C·基布阿罗 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及具有减小的电压降的碳化硅二极管以及其制造方法。一种电子器件包括SiC的固体本体，固体本体具有表面并且具有第一导电性类型。第一注入区域和第二注入区域具有第二导电性类型，并且从表面开始在一方向上延伸到固体本体中，并且在第一注入区域和第二注入区域之间界定固体本体的表面部分。肖特基接触在表面上，并且与表面部分直接接触。欧姆接触在表面上，并且与第一和第二注入区域直接接触。固体本体包括外延层，外延层包括表面部分和体部分。表面部分容纳多个掺杂子区域，多个掺杂子区域彼此接续地在方向上延伸，多个掺杂子区域为第一导电性类型，并且具有比体部分的导电性水平高的相应的导电性水平。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减小 电压 碳化硅 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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