[发明专利]一种双衬底气化芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 202110842358.9 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN113460946A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 王敏锐;俞挺 | 申请（专利权）人： | 美满芯盛（杭州）微电子有限公司 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;A61M11/00 |
| 代理公司： | 苏州瑞光知识产权代理事务所(普通合伙) 32359 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 311231 浙江省杭州市萧山区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双衬底气化芯片，包括：基础衬底和硅衬底，基础衬底上设置有自顶面向内凹陷形成的空腔，待气化液体设置在空腔内，空腔的底面上设置有液态源通道，基础衬底的顶面上设置有接触电极板，硅衬底底部设置有加热电极板，加热电极板通过键合金属层与接触电极板电连接，硅衬底上设置有第一气化通道结构，第一气化通道结构包括阵列排布的若干个第一气化通道单元，第一气化通道单元连通至空腔。本发明还公开了一种双衬底气化芯片的制造方法。本发明相较于现有技术，将陶瓷衬底或玻璃衬底与硅衬底组合形成双衬底结构，气化芯片上气化孔的孔径均匀，将气化芯片的加热区域和外围固定结构进行热隔离，降低热导，提升电加热气化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 气化 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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