[发明专利]一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件在审
| 申请号： | 202110836964.X | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN113410217A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 彭虎;杜睿;卢烁今 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/78;H01L21/50 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 艾中兰;王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双管芯合封的共源共栅SiC功率器件，其中包含合封的SiC‑JFET管芯和Si‑LDMOS管芯，Si‑LDMOS管芯的漏极与SiC‑JFET管芯的源极相连，SiC‑JFET管芯的漏极从背面引出，作为SiC功率器件成品的漏极引出，Si‑LDMOS管芯的栅极引出作为SiC功率器件成品的栅极引出，Si‑LDMOS管芯的源极从背面引出，与SiC‑JFET管芯的栅极相连并引出作为SiC功率器件成品的源极引出。本发明提出了一种新封装结构，通过加大引线框架面积，将SI‑LDMOS管芯焊接在框架上，相应PIN脚直接引出，最大程度降低封装的共源极寄生电感。本发明通过若干优化封装方案，显著降低合封器件的源极寄生电感，提升SiC功率器件的开关性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双管 芯合封 共源共栅 sic 功率 器件 | ||
【主权项】：
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