[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的电子系统在审
| 申请号： | 202110836683.4 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN114256269A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 高秉贤;宋承砇;申重植;权容真;金振赫;孙洪翼 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括：衬底，具有单元阵列和延伸区域；栅电极结构，具有沿第一方向堆叠的栅电极；沟道，在单元阵列区域上穿过栅电极结构；第一划分图案，在单元阵列和延伸区域上沿第二方向延伸，该第一划分图案位于栅电极结构在第三方向上的相对侧；绝缘图案结构，在延伸区域上部分地穿过栅电极结构；通孔，穿过绝缘图案结构；以及支撑层，在栅电极结构上并在单元阵列和延伸区域上延伸，该支撑层接触第一划分图案的上侧壁，并且该支撑层不接触延伸区域上的第一划分图案与绝缘图案结构相邻的部分的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 包括 电子 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110836683.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
