[发明专利]一种三类单层硒化铜超结构同时制备及调控的方法在审
| 申请号： | 202110833617.1 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN113463031A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 卢建臣;牛格非;蔡金明;张辉 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/58 |
| 代理公司： | 昆明明润知识产权代理事务所(普通合伙) 53215 | 代理人： | 张云 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三类单层硒化铜超结构同时制备及调控的方法。在该方法中，通过在超高真空环境下利用偏心沉积的策略，将高纯度的硒粉末蒸发沉积到干净的铜单晶基底上，然后将样品升温到生长温度后对样品进行退火处理，之后在样品表面获得了三种单层硒化铜超结构共同存在的样品（三种超结构分别为周期纳米孔洞结构，周期花瓣结构，一维莫尔条纹结构）。此外，通过增加偏心沉积硒粉末的时间，精确调控了三种单层硒化铜超结构在样品表面所占的面积。该方法为其它单层二维材料的结构转变提供了新的路径与方法，具有较高的科研价值和广泛的应用潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单层 硒化铜超 结构 同时 制备 调控 方法 | ||
【主权项】：
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