[发明专利]基于磷化硼材料的全电介质偏振调控器及其制作方法有效
| 申请号： | 202110830296.X | 申请日： | 2021-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN113281918B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 杜庆国;陈志伟;王原丽;李政颖;任芳芳 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 刘琳;刘代乐 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及光学器件技术领域，具体涉及一种基于磷化硼材料的全电介质偏振调控器及其制作方法。包括双杆谐振器和绝缘介质层单体，所述双杆谐振器包括第一谐振器杆和第二谐振器杆，双杆谐振器固设于所述绝缘介质层单体顶部，第一谐振器杆和第二谐振器杆与x轴、y轴之间形成45°夹角，第一谐振器杆和第二谐振器杆由磷化硼材料制作而成，绝缘介质层单体由二氧化硅材料制作而成。其可以在可见光波段454 nm‑469 nm、473 nm‑493 nm对正入射的光波实现高偏振转换，扩大了全电介质偏振调控器的适用范围，满足了更短波长的使用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 磷化 材料 电介质 偏振 调控 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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